化学气相沉积与原子层沉积前体

CVD（化学气相沉积）与ALD（原子层沉积）前体是用于气态输运并在基底表面反应生成薄膜的挥发性金属/有机化合物。应用覆盖半导体、高k介质及功能性涂层。方向包括低杂质前体、快速饱和前体及低温沉积前体的精准分子设计。