电子级高纯溶剂一站式解决方案 ——G3/G4级品质，赋能半导体与OLED先进制程
2026-08-11 · 推荐产品 · 百灵威授权转载
在半导体与OLED面板制造的微观世界里，纯度即良率，洁净即生命。随着制程不断向14nm、7nm乃至5nm演进，每一滴电子级溶剂的纯度和洁净度，都直接决定着芯片的电性能、可靠性与面板的显示品质。国际半导体设备与材料协会（SEMI）标准将湿电子化学品分为G1至G5五个等级。其中，G3级是先进制程的“合格线”，G4级是高端制造的“标配线”——金属离子含量从G3级的亚ppb级跃升至G4级的ppt级（万亿分之一），颗粒物控制从0.2μm收紧至0.1μm（表1）。
G3/G4级品质保障：严格执行SEMI国际标准，金属离子含量低至ppt级，颗粒物控制达0.1μm。
国产化替代先锋：G4及以下通用型产品国产化率已达70%-90%，我们以稳定的供应链与卓越的品质，助力客户降本增效、保障供应安全。
先进制程验证：产品已广泛应用于14nm及以下先进制程芯片制造与OLED高世代线面板生产。
灵活供应规格：G3/G4级产品常规供应4L中型包装；G5级氨水与氟化铵支持200L工业级大包装，满足从小试研发到量产导入的阶梯式需求。
表1 湿电子化学品等级分类、技术指标及应用
| 产品等级 | 金属杂质（含量） | 颗粒（粒径 & 数量） | 控制粒径（μm） | 主要应用领域 |
|---|---|---|---|---|
| G1 | ≤ 100 ppb | ≤ 25 颗粒/mL（≥5μm） | 5 μm | 光伏太阳能电池、分立器件、低档元器件 |
| G2 | ≤ 10 ppb | ≤ 25 颗粒/mL（≥1μm） | 1 μm | 平板显示（FPD）、功率器件、6英寸及以下的硅基芯片 |
| G3 | ≤ 1 ppb | ≤ 25 颗粒/mL（≥0.5μm） | 0.5 μm | 8英寸硅基芯片、先进封装、部分12英寸芯片 |
| G4 | ≤ 0.1 ppb（100 ppt） | ≤ 20 颗粒/mL（≥0.2μm） | 0.2 μm | 12英寸（300mm）硅基芯片（线宽 65nm-90nm） |
| G5 | ≤ 0.01 ppb（10 ppt） | ≤ 5 颗粒/mL（≥0.1μm） | 0.1 μm 或更小 | 12英寸及以上的先进制程芯片（线宽 < 65nm，如28nm、14nm、7nm、5nm） |
百灵威为您提供覆盖半导体与OLED全制程的G3、G4、G5级电子级溶剂产品矩阵，以极致纯度护航每一道关键工艺。
产品优势
全产品线覆盖：从光刻胶溶剂、清洗剂到显影液，一站式满足半导体与OLED制造需求。G3/G4级品质保障：严格执行SEMI国际标准，金属离子含量低至ppt级，颗粒物控制达0.1μm。
国产化替代先锋：G4及以下通用型产品国产化率已达70%-90%，我们以稳定的供应链与卓越的品质，助力客户降本增效、保障供应安全。
先进制程验证：产品已广泛应用于14nm及以下先进制程芯片制造与OLED高世代线面板生产。
灵活供应规格：G3/G4级产品常规供应4L中型包装；G5级氨水与氟化铵支持200L工业级大包装，满足从小试研发到量产导入的阶梯式需求。
应用场景
半导体与OLED制造涉及黄光制程、湿法清洗与蚀刻、面板制造及显影剥离四大核心工序，每一道工序对化学品的纯度与洁净度都有严苛要求。不同制程适用的产品系列总结如下（表2）：
表2 湿电子化学品在半导体与OLED制程中的应用
| 应用场景 | 产品名称 | CAS | 应用描述 | 我司等级 |
|---|---|---|---|---|
| 黄光制程 光刻胶溶剂与清洗 | 丙二醇甲醚（PGME） | 107-98-2 | 光刻胶配方与边珠去除（EBR）的核心溶剂 | G4 |
| 丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA） | 108-65-6 | 正性光刻胶标准稀释剂 | G4 | |
| 乙酸乙酯（EA） | 141-78-6 | 挥发快、溶解性好，用于光刻胶稀释与精密清洗 | G3 | |
| 乙酸丁酯（n-BA） | 123-86-4 | 光刻胶溶剂与清洗剂 | G3 | |
| 环己烷（CyH） | 110-82-7 | 非极性光刻胶溶剂与清洗去油剂 | G3 | |
| N-甲基吡咯烷酮（NMP） | 872-50-4 | 对光刻胶具有极强溶解力，是剥离与清洗核心溶剂 | G3 | |
| 湿法清洗与蚀刻 去除"隐形杀手" | 异丙醇（IPA） | 67-63-0 | 晶圆最终漂洗首选，14nm以下先进制程必备耗材 | G4 |
| 甲醇（MeOH） | 67-56-1 | 晶圆清洗，有效去除表面污染物 | G4 | |
| 氨水（NH₃·H₂O） | 1336-21-6 | RCA标准清洗（SC-1）核心组分 | G4、G5 | |
| 氟化铵（NH₄F） | 12125-01-8 | 缓冲氧化物蚀刻（BOE）及清洗 | G5 | |
| 氢氟酸 49%（HF 49%） | 7664-39-3 | 用量最大的湿电子化学品之一，用于清洗与蚀刻 | G4、G5 | |
| OLED面板制造 纯净度决定器件良率 | 丙二醇甲醚（PGME） 丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA） | 107-98-2 108-65-6 | 光刻胶稀释与剥离，"黄金搭档" | G4 |
| 异丙醇（IPA） | 67-63-0 | ITO玻璃清洗与最终漂洗 | G4 | |
| N-甲基吡咯烷酮（NMP） | 872-50-4 | 光刻胶剥离核心溶剂 | G3 | |
| 乙酸乙酯/环己烷 （EA/CyH） | 141-78-6 110-82-7 | 光刻胶稀释与精密清洗 | G3 | |
| 显影与剥离 精准图形转移 | 四甲基氢氧化铵 25%（TMAH 25%） | 75-59-2 | 光刻工艺中无可替代的碱性显影液 | G3 |
| 乙二醇（EG） | 107-21-1 | IC、TFT-LCD等制程的清洗及冷却剂 | G3 | |
| 三氯乙烯（TCE） | 79-01-6 | 适用于硅器件、大规模集成电路器件的清洗 | G3 |
注：PGME与PGMEA常按7:3或8:2配比联用，是半导体黄光制程不可替代的溶剂组合。G4级产品金属离子含量≤0.1 ppb，颗粒物控制至0.2μm，已在12英寸芯片及OLED高世代线实现规模化应用。
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注：
G5级氢氟酸目前为500ml×10瓶起订规格；
G3/G4级产品常规供应4L中型包装，如需其他包装规格请详询。
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