突破二维半导体规模化制备瓶颈——氧辅助MOCVD技术实现6英寸二硫化钼薄膜
2026-06-10 · 系列介绍 · 百灵威授权转载
南京大学与东南大学团队在《科学》上发表研究，创新开发“氧辅助金属有机化学气相沉积技术”，通过引入氧气有效抑制碳污染，将二硫化钼薄膜生长速率提升2-3个数量级，成功制备6英寸高质量薄膜，为二维半导体从实验室走向生产线奠定基础。这一突破解决了传统MOCVD动力学限制与杂质难题。我司提供系列高纯金属有机前驱体（含钼、钨、钛、铪等）、超干溶剂及配套钢瓶，可助力O-MOCVD工艺开发与二维材料规模化制备。
产品优势及特点：
- - 高纯钼前驱体：六羰基钼、双(二叔丁基氨基)二甲基钼(VI)等，纯度≥99.99% metal basis，适用于MOCVD沉积，作为二硫化钼薄膜的金属源。- - 氧辅助工艺适配：提供多种含氧前驱体（如乙醇锑、异丙氧基锆、乙酰丙酮金属配合物）及高纯氧气/空气源（可通过钢瓶或气体输送），辅助抑制碳污染。
- - 超干高纯溶剂：丙二醇单甲醚乙酸酯（PGMEA）、异丙醇、乙酸丁酯等电子级溶剂，用于前驱体溶解与输运系统清洗。
- - 衬底与配套耗材：提供标准钢瓶（50mL/60mL）用于前驱体安全包装，适配Picosun等主流设备；显影液、漂洗液等湿电子化学品适用于后续光刻图案化。
- - 扩展金属源库：除钼外，还提供钨、钛、铪、钴、钌等多种金属有机前驱体，可拓展至其他二维过渡金属硫族化合物（如WS₂、WSe₂）的合成。
应用场景：
- - 二维半导体（MoS₂、WS₂、MoSe₂等）的MOCVD规模化制备- - 氧辅助气相沉积工艺开发（O-MOCVD、O-ALD）
- - 大尺寸（6英寸、12英寸）过渡金属硫族化合物薄膜生长
- - 半导体产线兼容的二维材料沉积技术研究
核心推荐产品清单
钼/钨/钛等金属有机前驱体
| 品名 | CAS | 货号 |
|---|---|---|
| Bis(t-butylimido)bis(dimethylamino)molybdenum(VI), 98% 双(叔丁基亚氨基)双(二甲基氨基)钼(VI) | 923956-62-1 | 1822342 |
| Tungsten hexacarbonyl, 99.99%, Used for CVD 六羰基钨 | 14040-11-0 | 184972 |
| Tetrakis(dimethylamino)titanium, ICPMS-99.9999% 四(二甲氨基)钛 | 3275-24-9 | 952803新 |
| Bis(diethylamino)silane, 99.9999% 双(二乙氨基)硅烷 | 27804-64-4 | 957403 |
辅助材料与钢瓶
| 品名 | CAS | 货号 |
|---|---|---|
| 50ml Standard cylinder, Suitable for the vast majority of domestic equipments 50mL标准钢瓶 | / | 9395115 |
| 60ml Standard cylinder, Suitable for the equipment of Picosun 60mL标准钢瓶 | / | 9395123 |
| Bis(ethylcyclopentadienyl)manganese, 98%, ≥99.99% metal basis, for CVD/ALD, please refer to the details page for ordering and cleaning cylinder 二(乙基环戊二烯基)锰(II) | 101923-26-6 | 953383 |
| Bis(methylcyclopentadienyl)nickel, 99.999% 二(甲基环戊二烯基)镍(II) | 1293-95-4 | 930278 |
额外金属有机前驱体
| 品名 | CAS | 货号 |
|---|---|---|
| Tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)ruthenium(III), 98%, ≥99.99% metal basis, for CVD/ALD, please refer to the details page for ordering and cleaning cylinder 三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钌 | 38625-54-6 | 147692 |
| Tetrakis(diethylamino)hafnium, 98%, ≥99.99% metal basis, for CVD/ALD, please refer to the details page for ordering and cleaning cylinder 四(二乙氨基)铪(IV) | 19824-55-6 | 113501 |
| Bis(pentamethylcyclopentadienyl)cobalt(II), ≥99.99% metal basis, for CVD/ALD, please refer to the details page for ordering and cleaning cylinder 双(五甲基环戊二烯基)钴(II) | 74507-62-3 | 924019 |
| (3,3-Dimethyl-1-butyne)dicobalt hexacarbonyl, 99.9999% (3,3-二甲基-1-丁炔)羰基二钴六羰基 | 56792-69-9 | 280361 |
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