氮化物与碳化物薄膜CVD/ALD前驱体
2026-06-10 · 系列介绍 · 百灵威授权转载
氮化钛（TiN）、氮化钽（TaN）、氮化铝（AlN）、碳化硅（SiC）等薄膜在半导体制造中广泛用作扩散阻挡层、刻蚀停止层、硬掩模及MEMS结构层。原子层沉积（ALD）和化学气相沉积（CVD）技术可实现高保形、高纯度的氮化物/碳化物薄膜。我司提供系列高纯金属有机前驱体（钛、钽、铝、硅、钨等），配合氨气、氮气或烃类反应气体，适用于TiN、TaN、AlN、SiC、SiCN、WC等薄膜的低温、高质量沉积。
产品优势及特点：
- - 高纯前驱体：四(二甲氨基)钛、四(二甲氨基)钽、三(二甲胺基)铝二聚体等，纯度≥99.99% metal basis，金属杂质<0.1 ppm。- - 氮/碳源兼容：可与NH₃、N₂、H₂、C₂H₂、CH₄等配合，实现氮化物/碳化物成分精确调控。
- - 低温沉积：部分前驱体在200-400℃即可生成高质量薄膜，适用于热敏感衬底。
- - 钢瓶定制：提供50mL/60mL不锈钢钢瓶，适配ALD/CVD设备的直接液体注入或鼓泡器系统。
应用场景：
- - 铜互连扩散阻挡层（TaN、TiN、TiSiN）- - 栅极金属氮化物（TiN、TaN、WN）作为功函数调节层
- - MEMS、半导体刻蚀硬掩模（AlN、SiC、SiCN）
- - 耐磨涂层、抗腐蚀涂层
核心推荐产品清单
钛前驱体
| 品名 | CAS | 货号 |
|---|---|---|
| Tetrakis(dimethylamino)titanium, ICPMS-99.9999% 四(二甲氨基)钛 | 3275-24-9 | 952803新 |
| Tetrakis(ethylmethylamino)titanium, 98%, ≥99.99% metal basis, for CVD/ALD, please refer to the details page for ordering and cleaning cylinder 四(乙基甲氨基)钛(IV) | 175923-03-2 | 9186316 |
| Tetrakis(diethylamino)titanium(IV), 99.999% 四(二乙氨基)钛(IV) | 4419-47-0 | 903906 |
钽前驱体
| 品名 | CAS | 货号 |
|---|---|---|
| (t-Butylimido)tris(diethylamino)tantalum(V), 99.9999% 三(二乙氨基)(叔丁基亚氨基)钽(V) | 169896-41-7 | 289272 |
| (t-Butylimido)tris(ethylmethylamino)tantalum(V), 98%, ≥99.99% metal basis, for CVD/ALD, please refer to the details page for ordering and cleaning cylinder 三(乙基甲氨基)(叔丁基亚氨基)钽(V) | 511292-99-2 | 345773 |
| Pentakis (dimethylamino)tantalum(V), 98% 五(二甲氨基)钽(V) | 19824-59-0 | 579965 |
铝前驱体
| 品名 | CAS | 货号 |
|---|---|---|
| Alane-N,N-dimethylethylamine complex, 99%, metal basis, for CVD/ALD, please refer to the details page for ordering and cleaning cylinder N,N-二甲基乙胺醛烷络合物 | 124330-23-0 | 535459 |
硅前驱体
| 品名 | CAS | 货号 |
|---|---|---|
| Bis(diethylamino)silane, 99.9999% 双(二乙氨基)硅烷 | 27804-64-4 | 957403 |
| Tris(dimethylamino)silane, 99%, 99.999% Si 三(二甲胺基)硅烷 | 15112-89-7 | 282401 |
| Bis(t-butylamino)silane, 98%, ≥99.99% metal basis, for CVD/ALD, please refer to the details page for ordering and cleaning cylinder 二(叔丁基氨基)硅烷 | 186598-40-3 | 474608 |
| Hexamethyldisilane, 98% 六甲基二硅烷 | 1450-14-2 | 590635 危化品 |
钨/钼/铌前驱体
| 品名 | CAS | 货号 |
|---|---|---|
| Bis(t-butylimido)bis(dimethylamino)tungsten(VI), 98%, ≥99.99% metal basis, for CVD/ALD, please refer to the details page for ordering and cleaning cylinder 二(二甲氨基)二(叔丁基亚氨基)钨(VI) | 406462-43-9 | 918995 |
| Bis(t-butylimido)bis(dimethylamino)molybdenum(VI), 98% 双(叔丁基亚氨基)双(二甲基氨基)钼(VI) | 923956-62-1 | 1822342 |
| Tungsten hexacarbonyl, 99.99%, Used for CVD 六羰基钨 | 14040-11-0 | 184972 |
| Niobium(V) ethoxide , 98%, ≥99.99% metal basis, for CVD/ALD, please refer to the details page for ordering and cleaning cylinder 五乙醇铌(V) | 3236-82-6 | 963633 |
| (t-Butylimido)tris(diethylamino)niobium(V), 99.999% (叔丁基亚氨基)三(二乙氨基)铌(V) | 210363-27-2 | 1177614 |
钢瓶与辅助材料
| 品名 | CAS | 货号 |
|---|---|---|
| Tetrakis(dimethylamino)zirconium, 99% 四(二甲氨基)锆 | 19756-04-8 | 337870 |
| Chromium(III) acetylacetonate, 97% 乙酰丙酮铬(III) | 21679-31-2 | 181149 |
| 50ml Standard cylinder, Suitable for the vast majority of domestic equipments 50mL标准钢瓶 | / | 9395115 |
| 60ml Standard cylinder, Suitable for the equipment of Picosun 60mL标准钢瓶 | / | 9395123 |
| Tetraethyl orthosilicate, 99% 原硅酸四乙基酯 | 78-10-4 | 918023 危化品 |
推荐阅读
高纯无机功能材料：从ALD前驱体到化合物半导体5G与AI推动芯片材料革新，高端CVD前驱体助力技术突破
【限时特惠】Strem特种功能金属盐组合及其先进材料应用
