Strem优势产品推荐——用于ALD/CVD的铂前体
2024-06-17 · 推荐产品 · 百灵威授权转载
铂具有良好的电子性能、催化活性和化学稳定性，因此沉积在基板上的超薄铂膜在微电子和纳米技术领域具有多种应用[1]。以π-环戊二烯(三甲基)铂为前体，在180℃下可以获得高纯度、高晶体质量的铂薄膜[2]，为了更好地控制铂蒸气沉积的气化过程，在薄膜制造中获得更好的效果，液态前体(三甲基)甲基环戊二烯合铂(IV)（室温下呈油状）的研究受到人们的广泛关注。
(三甲基)甲基环戊二烯合铂(IV)具有熔点低（30-31°C），挥发性强，元素组成简单以及分解温度适中等优点，广泛应用于CVD和ALD，尤其是在低温沉积方法具有很大优势。
原子层沉积（ALD）技术是一种相对较新的、自限定的技术，能够均匀地沉积铂薄膜。使用(三甲基)甲基环戊二烯合铂(IV)作为前体，可以沉积纳米级厚度且具有高纵横比的超薄金属膜，此类薄膜在传感、催化和能源存储方面的作用已经受到广泛研究[3]。例如，纳米级铂薄膜在电化学传感中可用于葡萄糖检测。在多层碳纳米管表面沉积的铂薄膜可以为电极提供催化活性，并延长其使用寿命，使其在质子交换膜燃料电池中发挥作用[4]。此外，(三甲基)甲基环戊二烯合铂(IV)也是一种高效的光引发剂，可用于氢硅化反应[5]。
为了在室温下沉积铂薄膜，等离子体辅助的原子层沉积应运而生。(三甲基)甲基环戊二烯合铂(IV)和O2形成的铂ALD被认为是一种贵金属ALD的理想模型系统[6]。用(三甲基)甲基环戊二烯合铂(IV)和O2/H2气体进行等离子体辅助化学气相沉积，可以获得电阻率为18-24 μΩ cm的高质量、几乎纯净的薄膜[7]。
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(三甲基)甲基环戊二烯合铂(IV)具有熔点低（30-31°C），挥发性强，元素组成简单以及分解温度适中等优点，广泛应用于CVD和ALD，尤其是在低温沉积方法具有很大优势。
图1 (三甲基)甲基环戊二烯合铂(IV)结构式
为了在室温下沉积铂薄膜，等离子体辅助的原子层沉积应运而生。(三甲基)甲基环戊二烯合铂(IV)和O2形成的铂ALD被认为是一种贵金属ALD的理想模型系统[6]。用(三甲基)甲基环戊二烯合铂(IV)和O2/H2气体进行等离子体辅助化学气相沉积，可以获得电阻率为18-24 μΩ cm的高质量、几乎纯净的薄膜[7]。
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ALD和CVD 铂前体
| 品名 | CAS | 货号 |
|---|---|---|
| (Trimethyl)methylcyclopentadienylplatinum(IV), 99% (三甲基)甲基环戊二烯合铂(IV) | 94442-22-5 | 78-1350 |
| (Trimethyl)cyclopentadienylplatinum(IV), 99% π-环戊二烯（三甲基）铂 | 1271-07-4 | 78-1300 |
| (Trimethyl)pentamethylcyclopentadienylplatinum(IV), 99% （三甲基）五甲基环戊二烯基铂 | 97262-98-1 | 78-1358 |
| Platinum(II) hexafluoroacetylacetonate, 98% (99.9%-Pt) 1,1,1,5,5,5-六氟乙酰丙酮铂(II) | 65353-51-7 | 78-1550 |
新品推荐
| 品名 | CAS | 货号 |
|---|---|---|
| (Tert-butylimino)tris(ethyl(methyl)amino)niobium, 98%, ≥99.99% metal basis, for CVD/ALD, please refer to the details page for ordering and cleaning cylinder (叔丁基亚氨基)三(乙基(甲基)氨基)铌 | 864150-47-0 | 1177615 |
| (t-Butylimido)tris(ethylmethylamino)tantalum(V), 98%, ≥99.99% metal basis, for CVD/ALD, please refer to the details page for ordering and cleaning cylinder 三(乙基甲氨基)(叔丁基亚氨基)钽(V) | 511292-99-2 | 345773 |
| 2,3-Dimethyl-1,3-butadiene-tricarbonyl ruthenium, 98%, ≥99.99% metal basis, for CVD/ALD, please refer to the details page for ordering and cleaning cylinder (2,3-二甲基-1,3-丁二烯)三羰基钌(0) | 52649-53-3 | 9248430 |
| Bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)barium hydrate, 98%, ≥99.99% metal basis, for CVD/ALD, please refer to the details page for ordering and cleaning cylinder 双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钡 | 17594-47-7 | 924172 |
| Bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)calcium, 99.99% 双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)钙 | 118448-18-3 | 988511 |
| Bis(ethylcyclopentadienyl)manganese, 98%, ≥99.99% metal basis, for CVD/ALD, please refer to the details page for ordering and cleaning cylinder 二(乙基环戊二烯基)锰(II) | 101923-26-6 | 953383 |
参考文献
- [1] J. Am. Chem. Soc., 1989, 111, 8779.
- [2] Appl. Phys. Lett., 1988, 53, 1591.
- [3] Adv. Funct. Mater., 2010, 20, 3099.
- [4] Electrochim. Acta., 2012, 75, 101.
- [5] Inorg. Chem., 2004, 43, 6869.
- [6] Chem. Mater., 2012, 24, 1752.
- [7] Chem. Mater., 2013, 25, 1769.
