晶硅制造及坩埚涂层相关原辅料
2021-11-09 · 推荐产品 · 百灵威授权转载
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单晶硅具有显著的半导电性，作为一种比较活泼的非金属元素晶体，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿。高性能单晶硅的纯度要求达到99.9999%，甚至达到99.9999999%以上，可用于制造半导体器件、太阳能电池、芯片等。
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- 高纯度、高质量、高质检标准——痕量分析、 ICP-OES、GC、HPLC分析……
- 拉晶效果好——大幅降低断丝或黑洞概率，提高成品率，优品率
| 品名 | CAS | 货号 |
|---|---|---|
| Barium Hydroxide Octahydrate 氢氧化钡 八水合物 | 12230-71-6 | 1198 |
| Barium(II) carbonate 碳酸钡 | 513-77-9 | IN1177 |
| Aluminum hydroxide, 99.5%, analytical grade 氢氧化铝 , 99.5% | 21645-51-2 | 961580 |
| Silicon nitride, 0.2-2.5 microns (99.99%-Si) PURATREM 氮化硅 , (99.99%-Si) | 12033-89-5 | 14-7423 |
| Tantalum(V) chloride, 99.9% 五氯化钽(V) , 99.9% | 7721-01-9 | 296141 |
| Tantalum(V) oxide, 99.8% (99.95+%-Ta) 氧化钽 , (99.95+%-Ta)(metals basis) | 1314-61-0 | 73-2000 |
| Zirconium(iv) oxide, 99.3% 氧化锆(IV) , 99.3% | 1314-23-4 | 972401 |
